TrendForce最新內(nèi)存現(xiàn)貨價格走勢報告顯示，DRAM方面，現(xiàn)貨市場成交持續(xù)增加，合約市場對SK海力士DDR5產(chǎn)品需求旺盛，DDR5貨源緊俏，價格上漲。NAND Flash方面，本周Wafer現(xiàn)貨市場延續(xù)漲價態(tài)勢，后續(xù)Wafer價格有望持續(xù)上漲，512GbTLC晶圓現(xiàn)貨價格本周上漲2.33%，報2.5美元。
AI大模型訓(xùn)練對內(nèi)存帶寬需求呈指數(shù)級增長，傳統(tǒng)DDR內(nèi)存已無法滿足需求。HBM(高帶寬內(nèi)存)通過3D堆疊技術(shù)將DRAM芯片垂直堆疊，最新的HBM3E可實現(xiàn)高達819GB/s的帶寬，較DDR5提升5倍以上。在AI服務(wù)器中，HBM的成本占比約為20%-30%，僅次于用于計算的AI芯片。
研究機構(gòu)表示，存儲芯片行業(yè)正處于技術(shù)創(chuàng)新與需求復(fù)蘇的雙重驅(qū)動期，2025年全球存儲市場預(yù)計仍會維持雙位數(shù)增長，預(yù)期將會突破2300億美元。伴隨著巨頭廠商減產(chǎn)、AI轉(zhuǎn)向推理市場刺激下游需求、技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新三重因素下，存儲芯片市場會出現(xiàn)持續(xù)性復(fù)蘇。
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