就在我們還在為DDR5的普及歡呼雀躍時，半導體巨頭們已經(jīng)將目光投向了下一代內(nèi)存標準。沒錯，DDR6的研發(fā)正如火如荼進行中!雖然短期內(nèi)還無法裝進你的游戲主機，但這場內(nèi)存革命的速度之快絕對超乎想象。
全球三大內(nèi)存制造商三星、美光和SK海力士已經(jīng)完成原型設計，正在緊鑼密鼓地進行驗證測試。更令人振奮的是，英特爾、AMD和英偉達都已加入戰(zhàn)局，確保硬件間的完美兼容。
DDR6的初始目標速度就高達8,800 MT/s，而最終規(guī)劃更是要沖擊驚人的17,600 MT/s——這幾乎是當前DDR5理論極限的兩倍!實現(xiàn)這一跨越的關鍵在于全新的4×24位子通道架構，完全顛覆了DDR5的2×32位位子通道設計。同時，傳統(tǒng)DIMM插槽也將被CAMM2新標準取代，以突破物理限制。
與歷代內(nèi)存升級類似，DDR6將率先登陸服務器平臺，隨后才會出現(xiàn)在高端筆記本上。桌面PC玩家恐怕要多些耐心——目前路線圖顯示，平臺驗證將持續(xù)至2026年，服務器領域將于2027年率先部署，消費級產(chǎn)品則要更晚些時候。
雖然這個節(jié)奏與DDR5如出一轍，但分析師認為DDR6革命性的架構改進將加速其普及，特別是在AI和高性能計算(HPC)這些蓬勃發(fā)展的領域。
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