目前隨著生成式AI、高效能運算（HPC）和數(shù)據(jù)中心對內(nèi)存頻率與效率需求的快速提升，新一代內(nèi)存標準DDR6正朝著量產(chǎn)普及邁進。
據(jù)報道，業(yè)界預(yù)估DDR6將于2027年進入大規(guī)模普及期。
目前三星、美光與SK海力士等全球三大DRAM原廠，已率先啟動開發(fā)計劃，聚焦于DDR6芯片、控制器與封裝模組的技術(shù)突破與產(chǎn)品布局。
根據(jù)JEDEC的推進時間表，DDR6主規(guī)范已于2024年底完成草案，LPDDR6草案也于2025年第二季對外發(fā)布，預(yù)計2026年將進入平臺測試與驗證階段。
業(yè)者分析，DDR6在效能與架構(gòu)方面皆實現(xiàn)重大突破，起始速率達8800MT/s，產(chǎn)品生命周期內(nèi)最高可達17600 MT/s，超頻模塊最終可能達到 21000MT/s的速度，整體效能較DDR5提升約2至3倍。
在架構(gòu)方面，DDR6采用4×24-bit通道設(shè)計，相較DDR5的2×32-bit，在平行處理效率、數(shù)據(jù)流通與頻率使用上更具優(yōu)勢，但同時也對模組I/O設(shè)計提出更高要求。
與此同時，由JEDEC標準化的CAMM2，正成為DDR6時代的主流解決方案，CAMM2結(jié)合高頻寬、高密度、低阻抗與薄型化設(shè)計，成功解決DDR5中288引腳DIMM插槽限制。
本文鏈接：http://www.enbeike.cn/news-15-4922-0.htmlDDR6內(nèi)存有望2027年大規(guī)模普及 起步8800MT/s
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